NTLLD4901NFTWG
Nur als Referenz
Teilenummer | NTLLD4901NFTWG |
PNEDA Teilenummer | NTLLD4901NFTWG |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 22.182 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NTLLD4901NFTWG Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NTLLD4901NFTWG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NTLLD4901NFTWG Datasheet
- where to find NTLLD4901NFTWG
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NTLLD4901NFTWG
- NTLLD4901NFTWG PDF Datasheet
- NTLLD4901NFTWG Stock
- NTLLD4901NFTWG Pinout
- Datasheet NTLLD4901NFTWG
- NTLLD4901NFTWG Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NTLLD4901NFTWG Price
- NTLLD4901NFTWG Distributor
NTLLD4901NFTWG Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A, 6.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 15V |
Leistung - max | 800mW, 810mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-WDFN (3x3) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC, 6.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF, 305pF @ 15V Leistung - max 1.4W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V Leistung - max 46W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 295A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 40mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 644nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 1000V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |