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SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4992EY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4992EY-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 2.880
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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SI4992EY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4992EY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4992EY-T1-E3, SI4992EY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 112,16 KB)
PDFSI4992EY-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI4992EY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

FDW9926NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

BSS84AKS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

Leistung - max

445mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 40mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7950pF @ 800V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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