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NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Nur als Referenz

Teilenummer NGTG20N60L2TF1G
PNEDA Teilenummer NGTG20N60L2TF1G
Beschreibung IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.404
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTG20N60L2TF1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTG20N60L2TF1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTG20N60L2TF1G, NGTG20N60L2TF1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 400,76 KB)
PDFNGTG20N60L2TF1G Datenblatt Cover
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NGTG20N60L2TF1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 20A
Leistung - max64W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge84nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/193ns
Testbedingung300V, 20A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket-

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RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

IXGT25N160

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.7V @ 20V, 100A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG7PH28UD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

543µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/229ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGF19NC60WD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

RJH60D3DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 17A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

200µJ (on), 210µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/80ns

Testbedingung

300V, 17A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

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DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

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Maxim Integrated

IC THERMOCOUP TO DGTL 8-SOIC

RB521S-30TE61

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Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

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TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

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LED RGB DIFFUSED CHIP SMD

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

ADF4350BCPZ-RL7

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ADP151AUJZ-1.8-R7

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