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NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Nur als Referenz

Teilenummer NGTG20N60L2TF1G
PNEDA Teilenummer NGTG20N60L2TF1G
Beschreibung IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.404
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTG20N60L2TF1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTG20N60L2TF1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTG20N60L2TF1G, NGTG20N60L2TF1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 400,76 KB)
PDFNGTG20N60L2TF1G Datenblatt Cover
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NGTG20N60L2TF1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 20A
Leistung - max64W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge84nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/193ns
Testbedingung300V, 20A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/65ns

Testbedingung

480V, 7A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/70ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IGB20N60H3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/194ns

Testbedingung

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

IRG4BC20FD-STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

Kürzlich verkauft

MT48LC4M16A2P-75 IT:G

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Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

DM74LS05N

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ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP

XC7A100T-2FGG484I

XC7A100T-2FGG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FBGA

LM7805CT

LM7805CT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A TO220AB

SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

TCLT1003

TCLT1003

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SOP

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917