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NGTG20N60L2TF1G Datenblatt

NGTG20N60L2TF1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTG20N60L2TF1G
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NGTG20N60L2TF1G

ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A

Leistung - max

64W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/193ns

Testbedingung

300V, 20A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

-