NGTG12N60TF1G
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| Teilenummer | NGTG12N60TF1G |
| PNEDA Teilenummer | NGTG12N60TF1G |
| Beschreibung | IGBT 600V 24A 54W TO-3PF |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.488 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTG12N60TF1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTG12N60TF1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTG12N60TF1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 88A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 54W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 84nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 55ns/200ns |
| Testbedingung | 300V, 15A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 10A Leistung - max 110W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 5V, 14A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 900ns/6µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 42W Schaltenergie 370µJ (on), 67µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.3ns/54.8ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 82.4ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
