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NGTG12N60TF1G Datenblatt

NGTG12N60TF1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTG12N60TF1G
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NGTG12N60TF1G

ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/200ns

Testbedingung

300V, 15A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

-