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HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG30N60B3
PNEDA Teilenummer HGTG30N60B3
Beschreibung IGBT 600V 60A 208W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.920
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HGTG30N60B3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG30N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTG30N60B3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
Leistung - max208W
Schaltenergie500µJ (on), 680µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.36ns/137ns
Testbedingung480V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1018nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/156ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

IRG8P08N120KD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

300µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/160ns

Testbedingung

600V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG4BC20UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

HGTD1N120BNS9A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

70µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/67ns

Testbedingung

960V, 1A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/185ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

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