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NGD8201BNT4G

NGD8201BNT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NGD8201BNT4G
PNEDA Teilenummer NGD8201BNT4G
Beschreibung IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 6.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NGD8201BNT4G Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGD8201BNT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGD8201BNT4G, NGD8201BNT4G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 426,79 KB)
PDFNGD8201BNT4G Datenblatt Cover
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NGD8201BNT4G Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 4.5V, 10A
Leistung - max115W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/4µs
Testbedingung300V, 6.5A, 1kOhm
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

1.15mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/490ns

Testbedingung

600V, 15A, 34Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

APT70GR65B2SCD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

305nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

FGH40T100SMD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

398nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/285ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

78ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IGZ100N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

161A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

850µJ (on), 770µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/421ns

Testbedingung

400V, 50A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

129A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

875µJ (on), 425µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/82ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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