FGH15T120SMD-F155
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| Teilenummer | FGH15T120SMD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH15T120SMD-F155 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.584 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH15T120SMD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH15T120SMD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH15T120SMD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 333W |
| Schaltenergie | 1.15mJ (on), 460µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/490ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 34Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max 219W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max 220W Schaltenergie 740µJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/330ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A Leistung - max 536W Schaltenergie 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 970nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/430ns Testbedingung 400V, 150A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 363µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/142ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
