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SKB15N60ATMA1

SKB15N60ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer SKB15N60ATMA1
PNEDA Teilenummer SKB15N60ATMA1
Beschreibung IGBT 600V 31A 139W TO263-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.088
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SKB15N60ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSKB15N60ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SKB15N60ATMA1, SKB15N60ATMA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 599,69 KB)
PDFSKB15N60 E8151 Datenblatt Cover
SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 2 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 3 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 4 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 5 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 6 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 7 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 8 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 9 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 10 SKB15N60 E8151 Datenblatt Seite 11

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SKB15N60ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)31A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)62A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
Leistung - max139W
Schaltenergie570µJ
EingabetypStandard
Gate Charge76nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.32ns/234ns
Testbedingung400V, 15A, 21Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)279ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketPG-TO263-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

121A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

715µJ (on), 607µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/133ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

AOT15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

290µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/116ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

317ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

SGR2N60UFDTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

30µJ (on), 13µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/80ns

Testbedingung

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

FGA20S125P-SN00336

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

740µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

153nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/400ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

3mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/133ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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