AOT15B65M1
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| Teilenummer | AOT15B65M1 |
| PNEDA Teilenummer | AOT15B65M1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 15A TO220 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.140 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOT15B65M1 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOT15B65M1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AOT15B65M1 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | Alpha IGBT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 214W |
| Schaltenergie | 290µJ (on), 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/116ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 317ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 85W Schaltenergie 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 10A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 268W Schaltenergie 1.59mJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 177nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/144ns Testbedingung 400V, 40A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 43ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 238W Schaltenergie 1.37mJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16.8ns/54.4ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 26ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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