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MRF8P20165WHSR5

MRF8P20165WHSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8P20165WHSR5
PNEDA Teilenummer MRF8P20165WHSR5
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF8P20165WHSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8P20165WHSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8P20165WHSR5, MRF8P20165WHSR5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 796,5 KB)
PDFMRF8P20165WHSR3 Datenblatt Cover
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MRF8P20165WHSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.98GHz ~ 2.01GHz
Gewinn14.8dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest550mA
Leistung - Leistung37W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4
LieferantengerätepaketNI-780S-4

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-

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NXP USA Inc.

Serie

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Gewinn

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28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

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950mA

Leistung - Leistung

27W

Spannung - Nennspannung

68V

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TO-270AB

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TO-270 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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