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PTFA092211ELV4XWSA1

PTFA092211ELV4XWSA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA092211ELV4XWSA1
PNEDA Teilenummer PTFA092211ELV4XWSA1
Beschreibung FET RF LDMOS 220W H33288-2
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFA092211ELV4XWSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA092211ELV4XWSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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PTFA092211ELV4XWSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz940MHz
Gewinn18dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.75A
Leistung - Leistung220W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads
LieferantengerätepaketH-33288-2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

917.5MHz ~ 962.5MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

64A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

PTFB182503EL-V1-R250

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BLF647PS,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.98GHz ~ 2.01GHz

Gewinn

14.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

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0001.2536

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