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MMRF1006HR5

MMRF1006HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1006HR5
PNEDA Teilenummer MMRF1006HR5
Beschreibung FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF1006HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1006HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1006HR5, MMRF1006HR5 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 748,89 KB)
PDFMMRF1006HR5 Datenblatt Cover
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MMRF1006HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz450MHz
Gewinn20dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung120V
Paket / FallSOT-979A
LieferantengerätepaketNI-1230-4H

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

18.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

90mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

108V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

36A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

43W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.62A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

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NI-780S

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