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BLF7G22L-200,118

BLF7G22L-200,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G22L-200,118
PNEDA Teilenummer BLF7G22L-200-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
Hersteller Ampleon
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BLF7G22L-200 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G22L-200,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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BLF7G22L-200 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.62A
Leistung - Leistung55W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

35.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1239B

Lieferantengerätepaket

CDFM6

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

31.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1212-2

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.995GHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

NI-780-2S2L

Lieferantengerätepaket

NI-780-2S2L

BLF25M612G,118

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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