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BLF25M612G,118

BLF25M612G,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF25M612G,118
PNEDA Teilenummer BLF25M612G-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 8.694
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF25M612G Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF25M612G,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF25M612G, BLF25M612G Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 975,39 KB)
PDFBLF25M612 Datenblatt Cover
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BLF25M612G Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.45GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest10mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-975C
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1250W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.25A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

CGHV35060MP

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.7GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

125mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-TSSOP

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

850mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

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