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MRFE6VP61K25HR6

MRFE6VP61K25HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6VP61K25HR6
PNEDA Teilenummer MRFE6VP61K25HR6
Beschreibung FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFE6VP61K25HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6VP61K25HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6VP61K25HR6, MRFE6VP61K25HR6 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 967,15 KB)
PDFMRFE6VP61K25HSR6 Datenblatt Cover
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MRFE6VP61K25HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz230MHz
Gewinn24dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung1250W
Spannung - Nennspannung133V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

800mA

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

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Gewinn

17.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

490mA

Leistung - Leistung

40dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244C

Lieferantengerätepaket

CDFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

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