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MRF7S19210HSR3

MRF7S19210HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S19210HSR3
PNEDA Teilenummer MRF7S19210HSR3
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF7S19210HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S19210HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S19210HSR3, MRF7S19210HSR3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 818,57 KB)
PDFMRF7S19210HSR5 Datenblatt Cover
MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 2 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 3 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 4 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 5 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 6 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 7 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 8 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 9 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 10 MRF7S19210HSR5 Datenblatt Seite 11

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MRF7S19210HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung63W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

14.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880X-4L4S-8

Lieferantengerätepaket

NI-880X-4L4S-8

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PLD-1.5W

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5W

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

26.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

24.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

40mA

Leistung - Leistung

1400W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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