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BG 5130R E6327

BG 5130R E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BG 5130R E6327
PNEDA Teilenummer BG-5130R-E6327
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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BG 5130R E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG 5130R E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG 5130R E6327, BG 5130R E6327 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 202,63 KB)
PDFBG 5130R E6327 Datenblatt Cover
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BG 5130R E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn24dB
Spannungstest3V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.3dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.6dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

PTRA087008NB-V1-R5

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

755MHz ~ 805MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

540mA

Leistung - Leistung

650W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

HB2SOF-6-1

Lieferantengerätepaket

PG-HB2SOF-6-1

BLP10H605AZ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

22.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

5W

Spannung - Nennspannung

104V

Paket / Fall

12-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-HVSON (6x4)

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

49A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

500MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-61AA

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