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LET9150

LET9150

Nur als Referenz

Teilenummer LET9150
PNEDA Teilenummer LET9150
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 20A M-246
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 4.356
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

LET9150 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLET9150
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
LET9150, LET9150 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 319,23 KB)
PDFLET9150 Datenblatt Cover
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  • LET9150 Distributor

LET9150 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz860MHz
Gewinn20dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)20A
Rauschzahl-
Stromtest600mA
Leistung - Leistung150W
Spannung - Nennspannung80V
Paket / FallM246
LieferantengerätepaketM246

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

BLP05H6700XRY

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

600MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

700W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1138-2

Lieferantengerätepaket

SOT1138-2

BLF8G27LS-100U

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PD85025STR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

BG 5130R E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Frequenz

800MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

Kürzlich verkauft

BSS84-7-F

BSS84-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

MCP41010T-I/SN

MCP41010T-I/SN

Microchip Technology

IC DGTL POT 10KOHM 256TAP 8SOIC

WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

Vishay Dale

RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

P6KE150A

P6KE150A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 128V 207V DO15

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

NOIP2SE1300A-QDI

NOIP2SE1300A-QDI

ON Semiconductor

IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

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