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3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer 3SK291(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer 3SK291-TE85L-F
Beschreibung MOSFET N-CH SMQ
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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3SK291(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer3SK291(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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3SK291(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz800MHz
Gewinn22.5dB
Spannungstest6V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl2.5dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung12.5V
Paket / FallSC-61AA
LieferantengerätepaketSMQ

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

49A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

520MHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

PLD-1.5W

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5W

PTF240101S V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.68GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H32259-2

Lieferantengerätepaket

H-32259-2

MRF151A

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz ~ 175MHz

Gewinn

13dB ~ 22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

16A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

P-244

Lieferantengerätepaket

P-244

LET9060

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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