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MRF6S21140HR3

MRF6S21140HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S21140HR3
PNEDA Teilenummer MRF6S21140HR3
Beschreibung FET RF 68V 2.12GHZ NI-880
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S21140HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S21140HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S21140HR3, MRF6S21140HR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 876,77 KB)
PDFMRF6S21140HSR5 Datenblatt Cover
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MRF6S21140HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.12GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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-

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Frequenz

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Gewinn

20.2dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

30.2W

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

1.6W

Spannung - Nennspannung

28V

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD

Lieferantengerätepaket

SMD

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

700MHz ~ 2.2GHz

Gewinn

27dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

110mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

12-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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