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MRF7S18170HR5

MRF7S18170HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S18170HR5
PNEDA Teilenummer MRF7S18170HR5
Beschreibung FET RF 65V 1.81GHZ NI-880
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF7S18170HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S18170HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S18170HR5, MRF7S18170HR5 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 999,15 KB)
PDFMRF7S18170HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S18170HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.81GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung50W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz ~ 3.1GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

SOT-975C

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

450MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-1230S

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

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