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BLF888AS,112

BLF888AS,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF888AS,112
PNEDA Teilenummer BLF888AS-112
Beschreibung RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $1.008,3037
50 ---------- $961,0395
100 ---------- $913,7753
200 ---------- $866,5110
400 ---------- $827,1242
500 ---------- $787,7373
Auf Lager 4
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BLF888AS Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF888AS,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF888AS, BLF888AS Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.532,04 KB)
PDFBLF888AS Datenblatt Cover
BLF888AS Datenblatt Seite 2 BLF888AS Datenblatt Seite 3 BLF888AS Datenblatt Seite 4 BLF888AS Datenblatt Seite 5 BLF888AS Datenblatt Seite 6 BLF888AS Datenblatt Seite 7 BLF888AS Datenblatt Seite 8 BLF888AS Datenblatt Seite 9 BLF888AS Datenblatt Seite 10 BLF888AS Datenblatt Seite 11

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BLF888AS Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz860MHz
Gewinn21dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung250W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallSOT539B
LieferantengerätepaketSOT539B

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

SOT-540A

Lieferantengerätepaket

-

BLS9G2735S-15GU

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz ~ 3.1GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

SOT-975C

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

48W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

595MHz ~ 851MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

OM-1230-4L

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

9V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

14V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

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