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BLC9G20LS-120VTY

BLC9G20LS-120VTY

Nur als Referenz

Teilenummer BLC9G20LS-120VTY
PNEDA Teilenummer BLC9G20LS-120VTY
Beschreibung RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2
Hersteller Ampleon
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BLC9G20LS-120VTY Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLC9G20LS-120VTY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLC9G20LS-120VTY, BLC9G20LS-120VTY Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.276,71 KB)
PDFBLC9G20LS-120VTZ Datenblatt Cover
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BLC9G20LS-120VTY Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.805GHz ~ 1.995GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)2.8µA
Rauschzahl-
Stromtest700mA
Leistung - Leistung172W
Spannung - Nennspannung-
Paket / FallSOT-1271-2
LieferantengerätepaketSOT1271-2

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Rauschzahl

-

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10mA

Leistung - Leistung

-

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

360mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

23.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

10.8dB

Spannungstest

7.2V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-271AA

Lieferantengerätepaket

PW-X

BLF182XRSU

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

28dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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