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BLF6G20LS-75,112

BLF6G20LS-75,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G20LS-75,112
PNEDA Teilenummer BLF6G20LS-75-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 2.988
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BLF6G20LS-75 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G20LS-75,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G20LS-75, BLF6G20LS-75 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.113,3 KB)
PDFBLF6G20LS-75 Datenblatt Cover
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BLF6G20LS-75 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest550mA
Leistung - Leistung29.5W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

450MHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF1005SE6433XT

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.6dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

IXZ210N50L2

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

Z-MOS™

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

70MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

10A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

390W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DE275

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

130MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

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