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MJE4343

MJE4343

Nur als Referenz

Teilenummer MJE4343
PNEDA Teilenummer MJE4343
Beschreibung TRANS NPN 160V 16A TO218
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.730
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MJE4343 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJE4343
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJE4343, MJE4343 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 132,68 KB)
PDFMJE4353G Datenblatt Cover
MJE4353G Datenblatt Seite 2 MJE4353G Datenblatt Seite 3 MJE4353G Datenblatt Seite 4 MJE4353G Datenblatt Seite 5 MJE4353G Datenblatt Seite 6 MJE4353G Datenblatt Seite 7 MJE4353G Datenblatt Seite 8

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MJE4343 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)160V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3.5V @ 2A, 16A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)750µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 8A, 2V
Leistung - max125W
Frequenz - Übergang1MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-218-3
LieferantengerätepaketSOT-93

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

700V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 1.4A, 5.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 5.5A, 5V

Leistung - max

58W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOWATT218FX

Lieferantengerätepaket

ISOWATT-218FX

TSB772CK B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

Leistung - max

10W

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126

2N6111G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 3A, 7A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3A, 4V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

2SB1204S-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

TP

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