MJE4353G Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 8A, 2V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 1MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-218-3 Lieferantengerätepaket SOT-93 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 8A, 2V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 1MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-218-3 Lieferantengerätepaket SOT-93 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 8A, 2V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 1MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-218-3 Lieferantengerätepaket SOT-93 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 8A, 2V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 1MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
