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IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH50N120C3D1
PNEDA Teilenummer IXYH50N120C3D1
Beschreibung IGBT 1200V 90A 625W TO247
Hersteller IXYS
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYH50N120C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH50N120C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH50N120C3D1, IXYH50N120C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 172,22 KB)
PDFIXYH50N120C3D1 Datenblatt Cover
IXYH50N120C3D1 Datenblatt Seite 2 IXYH50N120C3D1 Datenblatt Seite 3 IXYH50N120C3D1 Datenblatt Seite 4 IXYH50N120C3D1 Datenblatt Seite 5 IXYH50N120C3D1 Datenblatt Seite 6 IXYH50N120C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXYH50N120C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)210A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 50A
Leistung - max625W
Schaltenergie3mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge142nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/133ns
Testbedingung600V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)195ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

140ns/630ns

Testbedingung

600V, 60A, 51Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

330ns/700ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PL

Lieferantengerätepaket

TO-3P(LH)

NGB8206NTF4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/250ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

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34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

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34ns

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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