IXXH100N60B3
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| Teilenummer | IXXH100N60B3 |
| PNEDA Teilenummer | IXXH100N60B3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 220A 830W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.776 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXH100N60B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXH100N60B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXH100N60B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 220A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 480A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 70A |
| Leistung - max | 830W |
| Schaltenergie | 1.9mJ (on), 2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 143nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/120ns |
| Testbedingung | 360V, 70A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXXH) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 164A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A Leistung - max 1040W Schaltenergie 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 215nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/192ns Testbedingung 600V, 80A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 420ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket PLUS264™ |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 120A Leistung - max 660W Schaltenergie 2.4mJ (on), 5.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/200ns Testbedingung 480V, 100A, 2.4Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 52W Schaltenergie 17µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/55ns Testbedingung 300V, 8A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 66W Schaltenergie 190µJ (on), 920µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/194ns Testbedingung 480V, 12A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
