IXYB82N120C3H1
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| Teilenummer | IXYB82N120C3H1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYB82N120C3H1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYB82N120C3H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYB82N120C3H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYB82N120C3H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 164A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 320A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 82A |
| Leistung - max | 1040W |
| Schaltenergie | 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 215nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/192ns |
| Testbedingung | 600V, 80A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 420ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | PLUS264™ |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max 62W Schaltenergie 220µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/260ns Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket PG-TO262-3-1 |
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