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IXGK120N60B

IXGK120N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK120N60B
PNEDA Teilenummer IXGK120N60B
Beschreibung IGBT 600V 200A 660W TO264AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.604
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IXGK120N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK120N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK120N60B, IXGK120N60B Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 471,8 KB)
PDFIXGK120N60B Datenblatt Cover
IXGK120N60B Datenblatt Seite 2 IXGK120N60B Datenblatt Seite 3 IXGK120N60B Datenblatt Seite 4 IXGK120N60B Datenblatt Seite 5

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IXGK120N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 120A
Leistung - max660W
Schaltenergie2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge350nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/200ns
Testbedingung480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

29.4W

Schaltenergie

130µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/40ns

Testbedingung

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

FGH40N65UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.19mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/112ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC20FD-STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXGT16N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

9.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/400ns

Testbedingung

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

5.25mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

192nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/314ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

258ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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