STGB5H60DF
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| Teilenummer | STGB5H60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGB5H60DF |
| Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGB5H60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB5H60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB5H60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 88W |
| Schaltenergie | 56µJ (on), 78.5µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 43nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/140ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 134.5ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 155A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A Leistung - max 536W Schaltenergie 2500µJ (on), 2140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 485nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/385ns Testbedingung 400V, 75A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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