IXST30N60B
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXST30N60B |
| PNEDA Teilenummer | IXST30N60B |
| Beschreibung | IGBT 600V 55A 200W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.304 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXST30N60B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXST30N60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXST30N60B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 55A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/150ns |
| Testbedingung | 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 187W Schaltenergie 1.38mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/207ns Testbedingung 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 156A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 600A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A Leistung - max 735W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 400nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 49ns/232ns Testbedingung 1250V, 128A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
