NGTB20N60L2TF1G
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| Teilenummer | NGTB20N60L2TF1G |
| PNEDA Teilenummer | NGTB20N60L2TF1G |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A TO3PF |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.004 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB20N60L2TF1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB20N60L2TF1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTB20N60L2TF1G, NGTB20N60L2TF1G Datenblatt
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NGTB20N60L2TF1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 64W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 84nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/193ns |
| Testbedingung | 300V, 20A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PF-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 100W Schaltenergie 470µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/65ns Testbedingung 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 860A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 160A Leistung - max 940W Schaltenergie 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 35A Leistung - max 300W Schaltenergie 10mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 80ns/400ns Testbedingung 800V, 35A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 25µJ (on), 58µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 7.7ns/87ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 6.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/400ns Testbedingung 800V, 20A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
