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IXGT30N60B2

IXGT30N60B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT30N60B2
PNEDA Teilenummer IXGT30N60B2
Beschreibung IGBT 600V 70A 190W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT30N60B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT30N60B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT30N60B2, IXGT30N60B2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 578,68 KB)
PDFIXGT30N60B2 Datenblatt Cover
IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 2 IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 3 IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 4 IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 5

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IXGT30N60B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 24A
Leistung - max190W
Schaltenergie320µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge66nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/110ns
Testbedingung400V, 24A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

161A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

850µJ (on), 770µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/421ns

Testbedingung

400V, 50A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

750W

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

123nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/93ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IRGPF40F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 17A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

29.4W

Schaltenergie

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Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/40ns

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Reverse Recovery Time (trr)

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