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IXGR60N60C3D1

IXGR60N60C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR60N60C3D1
PNEDA Teilenummer IXGR60N60C3D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGR60N60C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR60N60C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR60N60C3D1, IXGR60N60C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 216,15 KB)
PDFIXGR60N60C3D1 Datenblatt Cover
IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 2 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 3 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 4 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 5 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 6 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGR60N60C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max170W
Schaltenergie800µJ (on), 450µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge115nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/70ns
Testbedingung480V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

330ns/700ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

105µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/73ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

158nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/152ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

961W

Schaltenergie

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

544nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/278ns

Testbedingung

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

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Gate Charge

25nC

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Reverse Recovery Time (trr)

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