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IXGF20N300

IXGF20N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXGF20N300
PNEDA Teilenummer IXGF20N300
Beschreibung IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.922
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IXGF20N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGF20N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGF20N300, IXGF20N300 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 191,43 KB)
PDFIXGF20N300 Datenblatt Cover
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IXGF20N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)103A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 20A
Leistung - max100W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge31nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5 (3 Leads)
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

225W

Schaltenergie

310µJ (on), 1.14mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

166nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/390ns

Testbedingung

300V, 30A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

9.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/450ns

Testbedingung

960V, 25A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

FGA120N30DTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

FGPF90N30

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 30A

Leistung - max

56.8W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

93nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRGH4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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