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IXGH45N120

IXGH45N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH45N120
PNEDA Teilenummer IXGH45N120
Beschreibung IGBT 1200V 75A 300W TO247
Hersteller IXYS
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IXGH45N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH45N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH45N120, IXGH45N120 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 64,42 KB)
PDFIXGH45N120 Datenblatt Cover
IXGH45N120 Datenblatt Seite 2

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IXGH45N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 45A
Leistung - max300W
Schaltenergie14mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.55ns/370ns
Testbedingung960V, 45A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

385W

Schaltenergie

990µJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

181nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/113ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

IXGT24N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

106nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/200ns

Testbedingung

1360V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGB19NC60WT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

73.5W

Schaltenergie

80µJ (on), 70µJ (off)

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Standard

Gate Charge

12.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5.4ns/25.4ns

Testbedingung

400V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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