FGB5N60UNDF
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| Teilenummer | FGB5N60UNDF |
| PNEDA Teilenummer | FGB5N60UNDF |
| Beschreibung | IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGB5N60UNDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB5N60UNDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGB5N60UNDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 73.5W |
| Schaltenergie | 80µJ (on), 70µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12.1nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 5.4ns/25.4ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 35A Leistung - max 300W Schaltenergie 10mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 80ns/400ns Testbedingung 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK) |
