FGB5N60UNDF Datenblatt
FGB5N60UNDF Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FGB5N60UNDF
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A Leistung - max 73.5W Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12.1nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5.4ns/25.4ns Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) |
