FGA120N30DTU
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| Teilenummer | FGA120N30DTU |
| PNEDA Teilenummer | FGA120N30DTU |
| Beschreibung | IGBT 300V 120A 290W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.448 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGA120N30DTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA120N30DTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA120N30DTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 290W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 21ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/122ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 420A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 50A Leistung - max 290W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/205ns Testbedingung 960V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
