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IXBF50N360

IXBF50N360

Nur als Referenz

Teilenummer IXBF50N360
PNEDA Teilenummer IXBF50N360
Beschreibung IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.514
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IXBF50N360 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBF50N360
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBF50N360, IXBF50N360 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 202,66 KB)
PDFIXBF50N360 Datenblatt Cover
IXBF50N360 Datenblatt Seite 2 IXBF50N360 Datenblatt Seite 3 IXBF50N360 Datenblatt Seite 4 IXBF50N360 Datenblatt Seite 5 IXBF50N360 Datenblatt Seite 6

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IXBF50N360 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)420A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 50A
Leistung - max290W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/205ns
Testbedingung960V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.7µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5 (3 Leads)
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

83µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.5ns/103ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

590µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/220ns

Testbedingung

850V, 6A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

360µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/130ns

Testbedingung

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

RJH60D7ADPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/190ns

Testbedingung

300V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 20A

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Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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