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IXBF42N300

IXBF42N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXBF42N300
PNEDA Teilenummer IXBF42N300
Beschreibung IGBT 3000V TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.266
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXBF42N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBF42N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBF42N300, IXBF42N300 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 204,35 KB)
PDFIXBF42N300 Datenblatt Cover
IXBF42N300 Datenblatt Seite 2 IXBF42N300 Datenblatt Seite 3 IXBF42N300 Datenblatt Seite 4 IXBF42N300 Datenblatt Seite 5 IXBF42N300 Datenblatt Seite 6

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IXBF42N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 42A
Leistung - max240W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.72ns/445ns
Testbedingung1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.7µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-4, Isolated
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

350µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-268

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Serie

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IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.23mJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

121nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/138ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

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Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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