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IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJ

Nur als Referenz

Teilenummer IXA55I1200HJ
PNEDA Teilenummer IXA55I1200HJ
Beschreibung IGBT 1200V 84A 290W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.154
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IXA55I1200HJ Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA55I1200HJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXA55I1200HJ, IXA55I1200HJ Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 113,55 KB)
PDFIXA55I1200HJ Datenblatt Cover
IXA55I1200HJ Datenblatt Seite 2 IXA55I1200HJ Datenblatt Seite 3 IXA55I1200HJ Datenblatt Seite 4 IXA55I1200HJ Datenblatt Seite 5

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IXA55I1200HJ Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)84A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max290W
Schaltenergie4.5mJ (on), 5.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge190nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 50A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 21mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/250ns

Testbedingung

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

RJH65T04BDPMA0#T2F

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

360µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

IGC18T120T8LX1SA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 15A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

NGTB20N60L2TF1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A

Leistung - max

64W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/193ns

Testbedingung

300V, 20A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

NGTG40N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

535W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/286ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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