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IXGH32N100A3

IXGH32N100A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH32N100A3
PNEDA Teilenummer IXGH32N100A3
Beschreibung IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH32N100A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH32N100A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH32N100A3, IXGH32N100A3 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 123,84 KB)
PDFIXGH32N100A3 Datenblatt Cover
IXGH32N100A3 Datenblatt Seite 2

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IXGH32N100A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 32A
Leistung - max300W
Schaltenergie2.6mJ (on), 9.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/385ns
Testbedingung800V, 32A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

140µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/230ns

Testbedingung

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 12A

Leistung - max

104W

Schaltenergie

380µJ (on), 900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IXEH40N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

6.1mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 40A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 75A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

475µJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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