Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ISL9V5036S3ST_SB82170

ISL9V5036S3ST_SB82170

Nur als Referenz

Teilenummer ISL9V5036S3ST_SB82170
PNEDA Teilenummer ISL9V5036S3ST_SB82170
Beschreibung INTEGRATED CIRCUIT
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ISL9V5036S3ST_SB82170 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL9V5036S3ST_SB82170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ISL9V5036S3ST_SB82170 Datasheet
  • where to find ISL9V5036S3ST_SB82170
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor ISL9V5036S3ST_SB82170
  • ISL9V5036S3ST_SB82170 PDF Datasheet
  • ISL9V5036S3ST_SB82170 Stock

  • ISL9V5036S3ST_SB82170 Pinout
  • Datasheet ISL9V5036S3ST_SB82170
  • ISL9V5036S3ST_SB82170 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • ISL9V5036S3ST_SB82170 Price
  • ISL9V5036S3ST_SB82170 Distributor

ISL9V5036S3ST_SB82170 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieEcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)46A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 10A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/10.8µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/165ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

165ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/100ns

Testbedingung

480V, 7A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

RGPR30NS40HRTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

500ns/4µs

Testbedingung

300V, 8A, 100Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS

IRG4PH20KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

620µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/100ns

Testbedingung

800V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

145A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

4.9mJ (on), 1.95mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/160ns

Testbedingung

960V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

D1213A-04TS-7

D1213A-04TS-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

MAX942EUA+T

MAX942EUA+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R 8-UMAX

FDS9431A

FDS9431A

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

NC7WZ04P6X

NC7WZ04P6X

ON Semiconductor

IC INVERTER 2CH 2-INP SC70-6

SZNUP2105LT1G

SZNUP2105LT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

74HC4066BQ,115

74HC4066BQ,115

Nexperia

IC SWITCH QUAD 1X2 14DHVQFN

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

2N4416A

2N4416A

Central Semiconductor Corp

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

LTV-817S-TA1-D

LTV-817S-TA1-D

Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

BLM21PG221SN1D

BLM21PG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN

MCP73833-FCI/UN

MCP73833-FCI/UN

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR 10MSOP