IXGA7N60BD1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGA7N60BD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGA7N60BD1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 80W TO263 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.622 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGA7N60BD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGA7N60BD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGA7N60BD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 80W |
| Schaltenergie | 300µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 25nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 10ns/100ns |
| Testbedingung | 480V, 7A, 18Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXGA) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 468W Schaltenergie 1mJ (on), 1.32mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 158nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/152ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 488ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 268W Schaltenergie 410µJ (on), 88µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 99nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/93ns Testbedingung 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 40A Leistung - max 468W Schaltenergie 1.43mJ (on), 3.83mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 129nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/148ns Testbedingung 600V, 40A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 355ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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