IRGIB10B60KD1P
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| Teilenummer | IRGIB10B60KD1P |
| PNEDA Teilenummer | IRGIB10B60KD1P |
| Beschreibung | IGBT 600V 16A 44W TO220FP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.516 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 14 - Jan 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGIB10B60KD1P Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGIB10B60KD1P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGIB10B60KD1P Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 16A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 32A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 44W |
| Schaltenergie | 156µJ (on), 165µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 41nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/180ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 79ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB Full-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 45W Schaltenergie 380µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/91ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 25A Leistung - max 290W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 9V @ 2.5V, 150A Leistung - max 1.8W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Lieferantengerätepaket 8-VSON (3x4.4) |
