IXGM30N60
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| Teilenummer | IXGM30N60 |
| PNEDA Teilenummer | IXGM30N60 |
| Beschreibung | POWER MOSFET TO-3 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.722 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGM30N60 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGM30N60 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXGM30N60 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 180nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/500ns |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-204AE |
| Lieferantengerätepaket | TO-204AE |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A Leistung - max 714W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 610nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/290ns Testbedingung 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 230ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-46 |
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